- 来源: 原创 安世半导体
- 日期: 2021-12-14
基础半导体元器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）今天宣布推出业内首批 A-selection 齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F) 和 BZX384-A(SOD323) 系列的容差仅有 ±1%，相比 B(±2%) 和 C(±5%) 版本，可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求，也可以支持 Q 产品组合器件。
Nexperia 产品经理 Paula Stümer 介绍：
"Nexperia 的 A-selection 齐纳二极管涵盖从 1.8 V 至 75 V 的各种应用，提供高精度、低容差基准电压，如果向栅极-源极路径或漏极-栅极路径施加极限电压，或从更多种类的合适的 MOSFET 中进行选择，用具有焊盘兼容性的 A-selection 齐纳二极管代替 B- 或 C-selection，工程师可以将 MOSFET 的性能发挥到极致。"
A-selection 齐纳二极管的正常工作电压范围为 1.8 V 至 75 V（E24范围）。这些器件的非重复反向峰值功耗 ≤40W，总功耗 ≤250mW，差分热阻低。低容差可提供更高精度的电压，对应用的测试与测量尤其关键，可帮助工程师取代成本更高的电压基准器件。相比直接保护 MOSFET，另一种替代方案更为经济，即将漏极-栅极路径与齐纳二极管并联。齐纳二极管被击穿后， MOSFET 随即导通，防止漏极-源极发生雪崩击穿。
A-selection 齐纳二极管还可用于 Q 产品组合器件，符合 AEC-Q101 和 ISO/TS16949 汽车质量标准。这些标准的重点是满足汽车原始设备制造商的压力测试资格，以及质量管理体系的要求。与此同时，客户的需求不断发展，越来越多的非汽车应用需要额外的质量相关服务，例如生产零件批准过程(PPAP)和更长的供货计划。此类标准器件和 Q 产品组合器件的另一个不同之处是产品变更通知(PCN)的期限，根据 JEDEC 的要求，期限从 90 天延长至 180 天。此外，所有部件的供货计划至少为 10 年，保质期超过两年。
Nexperia 继续在技术和内部产能方面加大投入。A-selection 齐纳二极管现可提供样品，并已投入大批量生产。
深圳市泽天电子有限公司
深圳市宝安区前进一路86号深信泰丰大厦10楼
电话:0755-29994688 邮箱:sale@skywell.cn ICP备案：粤ICP备11057819号
微信公众号 → 
